Ni包覆Al 2 O 3 粉体的RCVD法制备及机理研究

金属Ni包覆于陶瓷粉体的表面，可以促进其烧结、提高导电性或赋予新的功能性质.本文采用旋转化学气相沉积法(RCVD)，利用二茂镍(NiCp 2 )前驱体的热分解，借助载体氢气对反应的催化促进作用，在Al 2 O 3 粉体表面包覆了均匀分散的Ni纳米粒子，并研究了包覆温度和原料供应速率对反应产物物相、粒度和形貌的影响规律.研究表明，在包覆温度为450~550 ℃、前驱体二茂镍(NiCp 2 )供给速率为(0.6~2.0)×10 -6 kg/s条件下，通过对反应过程中镍纳米粒子的包覆温度和前驱体二茂镍(NiCp 2 )供给速率调控可对镍纳米粒子的粒径大小和包覆层数进行调控.结合实验结果，分析了载体氢气对二茂镍反应的催化促进作用，阐述了旋转化学气相沉积条件下Ni纳米粒子在Al 2 O 3 粉体表面均匀包覆的过程与机制.通过调控包覆温度和原料供应速率，可以影响前驱体二茂镍的分解行为，从而调控镍纳米粒子在Al 2 O 3 粉体表面的包覆状态.