激光刻蚀与化学腐蚀结合法制备量子线（点）结构

目前制备量子线(点)主要采用微细加工或自组织方法,但存在沾污或分布规律不可控等局限性. 介绍了一种既可避免这些缺点而且简单易行的方法:利用激光刻蚀与化学腐蚀相结合的方法,在InP单晶片上刻蚀出了台宽为1 μm且分布规则的条状结构和网格结构,通过化学方法进一步腐蚀后,可使台宽减小到160 nm左右.