Method for forming hard mask layer and method for manufacturing semiconductor device using the same

본 발명은 하드 마스크막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 하드 마스크막의 형성 방법은, 하드 마스크막으로 비정질 탄소막을 증착할 때 아산화 질소(N 2 O)를 투입함으로써, 하드 마스크막의 박막 균일도를 향상시키고 식각 대상막에 대한 식각 선택비를 높일 수 있다. 나아가, 상기 하드 마스크막을 이용함으로써, 식각 대상막 내에 높은 종횡비를 갖는 리세스 영역을 효율적으로 형성할 수 있다.