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金属-層間-半導体ソース/ドレインによるランダムドーパント変動誘起閾値電圧変動免疫性Ge FinFET
金属-層間-半導体ソース/ドレインによるランダムドーパント変動誘起閾値電圧変動免疫性Ge FinFET
2016
Shin Changho
Kim Jeong‐Kyu
Kim Gwang-Sik
Lee Hyunjae
Shin Changhwan
Kim Jong‐Kook
Cho Byung Jin
Yu Hyun-Yong
Keywords:
Computational physics
Physics
Electronic engineering
Engineering physics
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