两步生长法生长的InxGa1-xAs/GaAs材料及性质

利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在GaAs（100）单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响;利用X射线衍射（XRD）分析了缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响;利用拉曼光谱分析了缓冲层厚度对外延层材料合金有序度的影响;通过透射电子显微镜（TEM）观察了外延层材料位错的分布状态,计算了外延层的位错密度。实验结果表明,两步生长法生长的InxGa1-xAs/GaAs异质结材料的缓冲层厚度存在一个最优值。