ИОННЫЕ ТРЕКИ В АМОРФНОМ НИТРИДЕ КРЕМНИЯ

Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si3N4/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20.4 кэВ · нм-1). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.