Mocvd 더스트로부터 갈륨 및 인듐을 침출시키는 방법

본 발명은 MOCVD 더스트로부터 Ga과 In을 침출시키는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MOCVD 반응에 참여하지 않고 배출되는 MOCVD 더스트로부터 Ga과 In을 효과적으로 회수하여, 종래 재활용 공정보다 높은 회수율로 고순도의 갈륨 및 인듐을 침출시키는 방법에 관한 것이다.