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c-C4F8、C3F8、およびC2F6プラズマを用いたSiO2エッチングプロセスで生成したCF4のIn Situ質量分析法による定量分析
c-C4F8、C3F8、およびC2F6プラズマを用いたSiO2エッチングプロセスで生成したCF4のIn Situ質量分析法による定量分析
2003
kenzi furuya
yosihiko hatano
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