Observation du début de la croissance du GaAs/InP par OMCVD

A partir d'observations directes par microscopie electronique en transmission de la premiere etape de la croissance de GaAs sur des substrats (001) d'InP par OMCVD, nous montrons qu'une couverture totale du substrat a lieu pour des couches de 65 A d'epaisseur, deposees a 450 °C. Lorsque l'epaisseur de la precouche augmente (de 65 a 550 A) et apres un recuit de 5 mn a 700 °C, la couche se relaxe de plus en plus et la densite des defauts plans diminue ; en revanche, la rugosite de la surface augmente parallelement. Une precouche d'epaisseur de l'ordre de 150 A semble etre la mieux adaptee pour realiser le compromis entre la couverture du substrat, une faible densite de defauts et une bonne morphologie de la surface.