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Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
2017
Fanny Berthet
Guillaume Brocero
S. Petitdidier
Y. Guhel
Philippe Eudeline
Jean-Lionel Trolet
P. Mary
A. Vivier
Christophe Gaquiere
B. Boudart
Keywords:
Transistor
Optoelectronics
Electroluminescence
Materials science
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