固体撮像装置、撮像装置、および固体撮像装置の製造方法

【課題】光電変換素子の面積の低下を最小限に抑制しながら、高機能化を図る。 【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１に形成される複数の画素回路２２とを有する。半導体基板１１に形成される画素回路２２は、光電変換素子２５と、光電変換素子２５と隣り合って形成される第１埋め込みゲート電極５１と、光電変換素子２５および第１埋め込みゲート電極５１から離間して形成される第２埋め込みゲート電極５６と、第１埋め込みゲート電極５１と第２埋め込みゲート電極５６との間に形成される第１拡散層５５と、第１埋め込みゲート電極５１と第２埋め込みゲート電極５６との間において、第１拡散層５５と離間した状態で重ねて形成される第２拡散層６０とを有する。光電変換素子２５に蓄積された電荷は、第１拡散層５５を通じて第２拡散層６０へ転送される。 【選択図】図５