Dispositifs mosfet bipolaires

L'invention concerne un dispositif a semi-conducteur qui comprend: au moins une cellule comportant une region de base d'un premier type de conductivite sur laquelle est disposee au moins une region d'emetteur d'un second type de conductivite; une premiere region de puits d'un second type de conductivite; une seconde region de puits d'un premier type de conductivite; une region de derive d'un second type de conductivite; une region de collecteur d'un premier type de conductivite; un contact de collecteur; dans lequel chaque cellule est disposee dans la premiere region de puits et la premiere region de puits est disposee dans la seconde region depuis. Ce dispositif comprend egalement: une premiere grille en communication avec une region de base de sorte qu'un canal MOSFET soit forme entre une region d'emetteur et la premiere region de puits; et au moins une region integree dans la premiere region de puits.