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Acemap > Paper > 高濃度多結晶Siゲートとエピ先作りソース/ドレイン・エクステンションによるSiナノワイヤトランジスタの性能向上

高濃度多結晶Siゲートとエピ先作りソース/ドレイン・エクステンションによるSiナノワイヤトランジスタの性能向上

2011 
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