Élément semi-conducteur de nitrure et procédé de fabrication de celui-ci

L'invention divulgue un element semi-conducteur de nitrure constitue de : une structure de semi-conducteur de nitrure en couches (20) qui a une region de semi-conducteur GaN de type p, dont la surface (12) est inclinee a un angle entre 1° et 5° avec un plan m ; et une electrode (30) placee sur le dessus de la region de semi-conducteur GaN de type p. L'electrode (30) contient une couche d'alliage de magnesium (32) comprenant du magnesium et soit du platine, du molybdene, soit du palladium. La couche d'alliage de magnesium (32) est en contact avec la surface (12) de la region de semi-conducteur GaN de type p dans la structure de semi-conducteur en couches (20).