Couche isolante riche en oxyde pour couche de remplissage d'espace en dépôt chimique en phase gazeuse liquide

La presente invention concerne la formation d'une couche d'oxyde de silicium de remplissage d'espace ayant une fraction volumique de vides reduite. Le depot implique la formation d'une couche isolante riche en oxygene moins liquide avant une couche de remplissage d'espace pauvre en oxygene plus liquide. Cependant, la couche isolante est deposee a l'interieur de la meme chambre que la couche de remplissage d'espace. La couche isolante et la couche de remplissage d'espace peuvent toutes les deux etre formees en associant un composant radical a un precurseur contenant du silicium non excite (c'est-a-dire pas directement excite par la puissance du plasma). La couche isolante a une teneur en oxygene plus elevee que la couche de remplissage d'espace et son depot a un pouvoir plus enrobant. La vitesse de depot de la couche de remplissage d'espace peut etre augmentee par la presence de la couche isolante. La couche de remplissage d'espace peut contenir du silicium, de l'oxygene et de l'azote et etre convertie a haute temperature pour contenir plus d'oxygene et moins d'azote. La presence de la couche isolante offre une source d'oxygene sous la couche de remplissage d'espace pour augmenter l'oxygene de la phase gazeuse introduite pendant la conversion.