Electric field dependence of exciton oscillator strengths in GaAs-AlxGa1−xAs quantum wells studied by photocurrent spectroscopy

La spectroscopie de photocarburant des structures de puits quantique multiple de GaAs-Al x Ga 1 ←2 x As avec un champ electrique applique perpendiculairement a l'hetero-interface, est utilisee pour etudier les longueurs de l'oscillateur de l'exciton en fonction du champ electrique, jusqu'a environ 10 5 V/cm. Les resultats sont compares avec un calcul theorique fonde sur une approche de masse effective de multibande comprenant les effets de melange de la bande de valence. On obtient un bon accord