Über die bildung des U2C3

Zusammenfassung Aus den vorliegenden Versuchsergebnissen wird deutlich, dass beim Gluhen geschmolzener UC-UC 2 -Legierungen bei einer Temperatur von 1350 °C das Sesquicarbid sowohl nach der synthetischen Reaktion (a) UC + UC 2 / ag U 2 C 3 als auch nach der Zerfallsreaktion (b) 2 UC 2 / ag U 2 C 3 + C entstehen kann. Die beiden Reaktionen laufen jedoch mit unterschiedlicher Geschwindigkeit ab. Wahrend die Reaktion (a) bei der Gluhtemperatur von 1350 °C in wenigen Stunden ( Das Gluhen reiner UC 2 -Legierungen fuhrt deshalb nicht direkt zum Sesquicarbid, sondern verlauft nach Reaktion (c) UC 2 / ag UC + C . Dieses UC reagierte jedoch erst mit der UC 2 -Matrix, nachdem sich an Rissen U 2 C 3 -Keime gebildet hatten. Man muss deshalb schliessen, dass auch zum Ablauf der Reaktion (a) Spannungen zwischen UC und UC 2 vorliegen mussen. Diese Spannungen liegen im Mikrobereich und beruhen nur auf der unterschiedlichen Orientierung der beiden Kristallstrukturen zueinander. Aussere Spannungserzeugung (Schlag oder Verformung) kann diese Orientierungsanderung hervorrufen. Versuche zur Direktbeobachtung der U 2 C 3 -Bildungsmechanismen ergaben, dass stets die wahrend des Gluhvorganges auf der Probenoberflache entstehende Oxidsehicht (≈ 5 μm) die Reaktion zum Sesquicarbid verhinderte.