Ізотермічний переріз квазіпотрійної системи Cu2Se−Ga2Se3−GeSe2 при 770 К

За результатами ДТА, РФА, МСА побудовано ізотермічний переріз квазіпотрійної системи Cu2Se−Ga2Se3−GeSe2 при 770 К. Підтверджено існування тернарних сполук Cu2GeSe3, Cu8GeSe6, CuGaSe2. Встановлено існування дефектних фаз Cu0,24Ga1,61 0,15Se2 та CuGaGeSe4 і твердих розчинів на основі тернарних, тетрарної сполук і Ga2Se3. The isothermal section of the quasiternary Cu2Se−Ga2Se3−GeSe2 system at 770 K has been constructed using the methods of differential thermal, X-Ray phase and microstructural analysеs. The existence of ternary compounds Cu2GeSe3, Cu8GeSe6, CuGaSe2 has been confirmed. The existence of defect phases Cu0,24Ga1,61 0,15Se2, CuGaGeSe4 and solid solutions on the base of ternary, quaternary compounds and Ga2Se3, has been determined.