ВЫСОКОДОЗОВОЕ ИОННО-ЛУЧЕВОЕ МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ АЛМАЗА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ

Приводятся результаты экспериментального исследования модификации грани (111) синтетического алмаза при высокодозовом облучении ионами Ar+ с энергией 30 кэВ. Найдено, что облучение при температуре 400°C приводит к появлению проводящего поверхностного слоя, проявляющегося в спектрах комбинационного рассеяния света в виде широкой полосы с максимумом, близким к положению характерному для G-пика графита при 1580 см-1. При этом интенсивность узкого пика алмаза при 1332 см-1 уменьшается на порядок. Ионное облучение сопровождается подавлением исходной фотолюминесценции и вызывает появление слабой фотолюминесценции со спектром, характерным для ювелирных алмазов.