A semiconductor device having insulating film and method of producing same

Es wird eine Halbleitervorrichtung, die eine Verschlechterung einer elektrischen Eigenschaft davon verhindern kann, sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung umfast: ein Halbleitersubstrat (1) mit einem Elementbildungsbereich und einem an den Elementbildungsbereich angrenzenden Elementisolationsbereich (2), und wobei ein Stufenbereich (15) an dem Grenzabschnitt zwischen dem Elementbildungsbereich und dem Elementisolationsbereich auf einer Hauptoberflache des Halbleitersubstrats (1) gebildet ist. Die Halbleitervorrichtung umfast ferner: einen Isolierfilm (3), der so gebildet ist, das er den Elementbildungsbereich bedeckt und sich uber den Stufenbereich (15) auf der Hauptoberflache des Halbleitersubstrats (1) erstreckt; sowie Gateelektroden (4a, 6, 7), die auf dem Isolierfilm (3) gebildet sind. Die Dicke des Isolierfilms (3) auf dem Elementbildungsbereich ist nahezu gleich derjenigen des Isolierfilms (3) auf dem Stufenbereich (15).