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Acemap > Paper > 수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화

수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화

2018 
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