Band-edge discontinuities and interface potential step in the two-band narrow-gap approach

Relations between band-edge discontinuities and interface potential step are derived in the framework of the two-band narrow-gap approach and in terms of gap-attached bulk properties of the two semiconductors in epitaxial contact. The expressions, initially deduced for energy gaps opened at the centre or edges of the corresponding Brillouin zones, are subsequently extended to include the more general case of gaps opened in other points inside the Brillouin zones. Mit Hilfe der Zweibandapproximation der schmalen Energielucke werden Relationen, did die Leitungs- und Valenzbandkanten-Diskontinuitaten mit dem Potentialsprung an der Grenzflache verbinden, abgeleitet. Die Ausdrucke werden zuerst fur die Energielucken im Zentrum oder an der Grenze der Brillouin-Zonen dargestellt und nachher fur Energielucken an anderen Punkten im Inneren der beiden Brillouin-Zonen verallgemeinert.