Phase change memory device for a multi-bit storage

Ein Phasenwechselspeicherbauelement (10) mit einem Heizerelement (2) und einem Speichergebiet (3) aus Chalkogenid-Material. Das Speichergebiet weist einen Phasenwechselabschnitt (5) auf, der sich in elektrischem und thermischem Kontakt zu dem Heizerelement befindet und einen ersten Strompfad zwischen dem Heizerelement und einem Restabschnitt (4) des Speicherelements bildet. Der Phasenwechselabschnitt (5) weist eine Abmessung auf, die mit in dem Speichergebiet gespeicherten Informationen korreliert und hat einen hoheren spezifischen Widerstand als der Restabschnitt (4). Ein paralleler Strompfad (11) erstreckt sich zwischen dem Heizerelement (2) und dem Restabschnitt (4) des Speicherelements und weist einen von der Abmessung des Phasenwechselabschnitts (5) abhangigen Widerstand auf, der geringer als der des Phasenwechselabschnitts (5) ist, so dass er den Gesamtwiderstand des Phasenwechselspeicherbauelements moduliert.