Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)

Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.