Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
8aAL-4 イオン液体トランジスタ構造を用いた導電性高分子へのキャリアドーピングとESR(8aAL 導電性高分子・界面デバイス1,領域7(分子性固体))
8aAL-4 イオン液体トランジスタ構造を用いた導電性高分子へのキャリアドーピングとESR(8aAL 導電性高分子・界面デバイス1,領域7(分子性固体))
2014
sin'iti kuroda
yuuki nakamura
satosi nisio
kyuu akatuki tanaka
yukihiro kai
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]