Etude de la position des atomes d'oxygene dans le reseau de ga#1#xal#xas prepare par epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques

Nous avons etudie la localisation de l'impurete oxygene dans des couches minces de ga#1##xal#xas preparees par epitaxie en phase vapeur a partir de composes organometalliques (arsine, trimethylaluminium, trimethylgallium). La concentration totale en oxygene a ete mesuree par activation avec des helions 3 d'energie 3 mev et suivant la reaction nucleaire #1#6o(#3he,p)#1#8f. Cette concentration varie entre quelques ppm (en poids) et quelques dizaines de ppm; elle augmente avec le pourcentage d'aluminium dans la couche. A pourcentage d'aluminium fixe, elle ne varie que peu avec le debit d'arsine. La position des atomes d'oxygene dans le reseau de ga#1##xal#xas a ete determinee en combinant l'activation par les helions 3, avec la canalisation de ces particules dans le reseau cristallin de la couche. Nous avons observe qu'a concentration d'aluminium fixee, la proportion d'atomes d'oxygene en position interstitielle augmente avec le de it d'arsine et qu'a debit d'arsine fixe, elle augmente avec la concentration totale en oxygene. Ce phenomene est explique en faisant l'hypothese que l'oxygene se place d'abord sur des sites d'arsenic inoccupes (cas d'un faible debit d'arsine). Ensuite, ce sont les sites interstitiels qui sont occupes par l'oxygene. Enfin, une methode experimentale de mesure des pouvoirs d'arret en canalisation a ete mise au point. Nous avons montre qu'a 3 mev, la perte d'energie des penetrant dans un reseau cristallin de gaas en posdition aleatoire est superieure d'environ 30% a celle observee avec unc cristal en position de canalisation suivant une direction . Ces resultats restent a exploiter dans de futures experiences combinant canalisation et reactions nucleaires