Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
薄いGe層をもつ反転型拡張モードHfO 2 ベースGaAs金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
薄いGe層をもつ反転型拡張モードHfO 2 ベースGaAs金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
2008
Kim Hyoung-sub
I. Ok
M Zhang
F. Zhu
S Park
J. Yum
H. Zhao
C Lee Jack
Oh Jungwoo
Majhi Prashant
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]