Influence of Profile Parameters on the IR Thickness Measurement of Thin Silicon Epitaxial Layers

For IR thickness measurements of very thin silicon epitaxial layers (depi < 3 μm) on silicon substrate the influence of the concentration profile of free carriers in the whole system is not negligible. The effects of most important profile parameters on the IR reflectance spectrum of silicon epitaxial layer systems are analysed by mathematical simulations. The theoretical results are confirmed by experimental ones. Bei IR-Dickenmessungen sehr dunner Silizium-Epitaxieschichten (depi < 3 μm) auf Silizium-Substrat ist der Einflus des Konzentrationsprofils der freien Ladungstrager im Gesamtsystem nicht vernachlassigbar. Die Auswirkungen der wichtigsten Profilparameter auf das IR-Reflexionsspektrum von Silizium-Epitaxie-Schicht-Systemen werden durch mathematische Simulationen untersucht. Die theoretischen Ergebnisse werden experimentell bestatigt.