電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
2010
【課題】従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層を備えた電子デバイスを提供する。 【解決手段】電子デバイスは、(A)制御電極12、(B)第1電極14及び第2電極14、並びに、(C)第1電極14と第2電極14との間であって、絶縁層13を介して制御電極12と対向して設けられた、有機半導体材料層15から成る能動層16を備えて成り、少なくとも能動層12と接触する絶縁層13の部分は、下記の式(1)にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。 【選択図】 図3
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