電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

【課題】従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層を備えた電子デバイスを提供する。 【解決手段】電子デバイスは、（Ａ）制御電極１２、（Ｂ）第１電極１４及び第２電極１４、並びに、（Ｃ）第１電極１４と第２電極１４との間であって、絶縁層１３を介して制御電極１２と対向して設けられた、有機半導体材料層１５から成る能動層１６を備えて成り、少なくとも能動層１２と接触する絶縁層１３の部分は、下記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。 【選択図】 図３