Quantenmulden-Einrichtung mit ESD-Festigkeit und Verfahren zum Herstellen der Einrichtung

AlGaInP-Quantenmulden-Einrichtung (30) mit einer Festigkeit gegen elektrostatische Entladung, die eine aktive Schicht mit der elektrostatischen Entladungsfestigkeit aufweist, wobei die aktive Schicht eine Anzahl von n abwechselnd gestapelten AlGaInP-Quantenmuldenschichten (42) und n AlGaInP-Sperrschichten (44) aufweist, wobei n eine positive ganze Zahl ist, und wobei die AlGaInP-Quantenmuldenschichten (42) mit einem n-Dotierstoff dotiert sind, wahrend die AlGaInP-Sperrschichten (44) undotiert sind, und wobei der n-Dotierstoff Te, Se oder Si umfasst und die Konzentration des n-Dotierstoffs zwischen 5 × 10 16 /cm 3 und 8 × 10 17 /cm 3 liegt.