Sensorelemente mit freitragenden balkenstrukturen aus halbleitern auf gruppe-iii-nitridbasis

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Sensorelement, das eine Halbleiterstruktur auf Gruppe III-Nitridbasis aufweist. Das Halbleitersensorelement dient der Bestimmung des Drucks, der Temperatur, einer Kraft, einer Auslenkung oder einer Beschleunigung. Es weist eine Substratbasis 1, darauf angeordnet eine homogene Halbleiterschicht auf Gruppe-III Nitridbasis auf, wobei die der Substratbasis 1 zugewandte Oberflache der homogener Halbleiterschicht 2, 2f zumindest teilweise einen Abstand zu der der homogenen Halbleiterschicht 2, 2f zugewandten Oberflache der Substratbasis aufweist und zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens zwei elektrische Ableitungskontakte 5 zur Ableitung eines durch die homogene Halbleiterschicht 2, 2f erzeugbaren elektrischen Ausgangssignals auf, an und/oder unter der homogenen Halbleiterschicht 2, 2f angeordnet sind oder in diese integriert sind.