Thyristors, procédés de programmation de thyristors et procédés de formation de thyristors

Certaines formes de realisation de l'invention comprennent des thyristors comportant une premiere et une deuxieme region d'electrode, une premiere et une deuxieme region de base et une matiere qui presente une bande interdite d'au moins 1,2 eV dans au moins une des regions. La premiere region de base se situe entre la premiere region d'electrode et la deuxieme region de base, et la deuxieme region de base se situe entre la deuxieme region d'electrode et la premiere region de base. La premiere region de base forme une interface avec la premiere region d'electrode dans une premiere jonction, et forme une interface avec la deuxieme region de base dans une deuxieme jonction. La deuxieme region de base forme une interface avec la deuxieme region d'electrode dans une troisieme jonction. Une grille se situe le long de la premiere region de base, et, dans certaines formes de realisation, ne chevauche pas les premiere et deuxieme jonctions. Certains modes de realisation comprennent des procedes de programmation de thyristors, et certains modes de realisation comprennent des procedes de formation de thyristors.