スパッタリングターゲット、電極膜、および電子部品

(57)【要約】 【課題】ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシ タの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金から なるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ 合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地 に対する付着力を向上させる。 【解決手段】ＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリン グターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回 折法で測定された積分強度値における（００２）面の結 晶方位含有比を０．０５以上とする。さらに、ターゲッ ト表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値にお ける{I(002)/35}/{I(101)/100}の比を３．０以上とし、 かつターゲットの各部位における{I(002)/35}/{I(101)/ 100}の比のばらつきを±３０％以内とする。