微孔[Me4N]2HgGe4S10的溶剂热合成与表征

用溶剂热方法合T[Me4N]2HgGe4S10，通过单晶x射线衍射，IR，DSC—TG手段对其进行了表征．结果表明，标题化合物属四方晶系，I-4空间群，晶胞参数a=0．92687（8）nm，c=1．43739（12）nm，V=1．23484（18）nm^3，Z=2，Mo Kαλ=0．071073nm，R1=0．0570，wR2=0．1374，空旷骨架结构由超四面体Ge4S10与HgS4四面体共用顶点连接而成，有机模板离子在一维孔道中．该化合物具有一定的热稳定性，在320℃发生分解形成GeS2．