Transistors robustes avec traitement au fluor

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, et en particulier un transistor a mobilite d'electrons elevee (HEMT), ayant une pluralite de couches epitaxiales et subissant un champ operationnel (E). L'invention concerne une region d'ions negatifs dans les couches epitaxiales pour contrer le champ operationnel (E). L'invention concerne aussi un procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, qui comprend la fourniture d'un substrat et la croissance de couches epitaxiales sur le substrat. Des ions negatifs sont introduits dans les couches epitaxiales pour former une region d'ions negatifs pour contrer les champs electriques operationnels (E) dans le dispositif semi-conducteur. Des contacts peuvent etre deposes sur les couches epitaxiales, soit avant soit apres la formation de la region d'ions negatifs.