Comensation de retard d'attaque de modulateur de mach-zehnder (mzm) répartie

Circuit d'attaque electronique destine a etre utilise avec un modulateur tel qu'un modulateur de Mach-Zehnder (MZM) segmente. Le circuit d'attaque electronique comprend un premier tampon de retard mis en oeuvre sous la forme d'un premier onduleur metal-oxyde-semi-conducteur complementaire (CMOS) et un second tampon de retard mis en oeuvre sous la forme d'un second onduleur CMOS. Le second onduleur CMOS suit le premier onduleur CMOS et a une seconde largeur de porte inferieure a une premiere largeur de porte du premier onduleur CMOS. Le premier onduleur CMOS est concu pour produire un premier signal electrique retarde a partir d'un signal electrique recu et le second onduleur CMOS est concu pour produire un second signal electrique retarde a partir du premier signal electrique retarde produit par le premier onduleur CMOS.