Reaktive hochfrequenz-sputterätzung von SiO2 im CF4-Ar-gasgemisch

Zusammenfassung Untersucht wird die reaktive Hochfrequenz-Sputteratzung im Freon-14-Argon (CF 4 -Ar)-Gasgemisch fur die Kontaktfensteroffnung in SiO 2 , die eine defektfreie Leitbahnmetallisierung bei der Herstellung von integrierten Halbleiterbauelementen ermoglicht. Die Qualitat der Strukturubertragung, realisierte Atzprofile und die Oberflachenmorphologie der Silizium-Wafer werden interpretiert und sind durch Rasterelektronenmikroskopie-Aufnahmen illustriert. Strahlenschaden in Si/SiO 2 -Strukturen werden mittels Hochfrequenz-Kapazitats-Spannungs-Messungen untersucht. Ermittelt wird eine optimale Zusammensetzung des verwendeten Atzgasgemisches bei der die Operation der SiO 2 -Atzung mit der gleichzeitigen Ablosung der Negativ-Waycoat IC 528-Lackmaske vereinbar ist.