Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Высоковольтные LDMOS транзисторы на КНИ структуре для экстремальной электроники
Высоковольтные LDMOS транзисторы на КНИ структуре для экстремальной электроники
2020
С.И. Бабкин
С. И. Волков
А. А. Глушко
С.А. Морозов
А С Новоселов
А. А. Столяров
Keywords:
LDMOS
Physics
Optoelectronics
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]