Procédé de formation de film isolant et procédé de fabrication de dispositif à semi-condcteur

L'invention concerne un procede de formation d'un film isolant comprenant une etape de preparation d'un substrat, qui doit etre traite et qui presente du silicium expose a la surface; une etape de mise en oeuvre d'oxydation sur le silicium a la surface, et de formation d'un film mince d'oxyde de silicium a la surface du silicium; une etape de mise en oeuvre d'une premiere nitruration sur le film d'oxyde de silicium et sur le silicium de base, et de formation d'un film d'oxynitrure de silicium; et une etape de mise en oeuvre d'un premier traitement thermique sur le film d'oxynitrure de silicium dans une atmosphere de N2O. Dans ledit procede, une etape de mise en oeuvre d'une seconde nitruration sur le film d'oxynitrure de silicium peut egalement etre prevue apres le premier traitement thermique, et en outre, une etape de mise en oeuvre d'un second traitement thermique sur le film d'oxynitrure de silicium peut etre prevu apres la seconde nitruration.