Fabrication de dispositif mosfet de puissance à tranchées à super jonction

L'invention concerne des procedes de fabrication d'un dispositif MOSFET (transistor a effet de champ a semi-conducteur a oxyde metallique) de puissance a tranchees a super jonction. Une colonne de dopant de type p dans la super jonction est separee d'une premiere colonne de dopant de type n par une premiere colonne d'oxyde et d'une deuxieme colonne de dopant de type n par une deuxieme colonne d'oxyde. Dans un dispositif a canal n, un element grille pour le FET est situe de maniere avantageuse sur la colonne de dopant de type p; et dans un dispositif a canal p, un element grille pour le FET est situe de maniere avantageuse sur la colonne de dopant de type n.