Traitement a basse temperature de couches de strontium-bismuth-tantalate ferroelectriques et procede de production de composants ferroelectriques a partir desdites couches
2001
L'invention concerne un procede de production de strontium-bismuth-tantalate ferroelectrique, compose de SrxBiyTa2O9 (SBT) ou de SrxBiy(Ta, Nb)2O9 (SBTN). Selon ce procede, l'element strontium, present normalement dans une proportion y = 2, est mis a disposition de facon excedentaire, dans la plage suivante : 2,1 ≤ y ≤ 3,0. Il est ainsi possible d'effectuer l'etape de traitement thermique servant a faire passer le materiau separe a la phase ferroelectrique, a une temperature T1 inferieure a 700 °C. En outre, la proportion x de strontium peut etre reduite pour passer de sa valeur nominale 1 a 0,7.
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