Projection exposure system for microlithography

Eine Projektionsbelichtungsanlage (1) fur die Mikrolithographie hat eine Strahlungsquelle (2) zur Erzeugung von Beleuchtungsstrahlung (3). Ein Retikelhalter (9) dient zur Aufnahme eines Retikels (8) in einer Objektebene (4). Eine Beleuchtungsoptik (5) dient zur Bundelfuhrung der Beleuchtungsstrahlung (3) hin zu einem auszuleuchtenden Objektfeld in der Objektebene (4). Ein Waferhalter (11) dient zur Aufnahme eines Wafers (10) in einer Bildebene (7). Zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld in der Bildebene (7) dient eine Projektionsoptik (6). Die Strahlungsquelle (2) und die Projektionsoptik (6) sind in ubereinander liegenden Raumen (14, 15) angeordnet, die durch eine Gebaudedecke (16) voneinander getrennt sind. In der Gebaudedecke (16) ist eine Beleuchtungsstrahlungs-Durchfuhrung (17) vorgesehen. Es resultiert eine Projektionsbelichtungsanlage, mit der eine verlustarme Fuhrung der Beleuchtungsstrahlung gewahrleistet ist.