Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
2013
yosifumi yamasita
takuya matunaga
tatuya fusimi
hirosi oono
itirou yonenaga
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]