Análise comparativa das propriedades de óxidos transparentes condutores para aplicação em células solares de filmes finos de CdTe

Este trabalho compara as propriedades de diversos oxidos transparentes condutores para serem utilizados como contatos frontais de celulas solares de filmes finos de CdTe. Os filmes foram depositados a temperatura ambiente, por pulverizacao catodica com radio frequencia, sem tratamento termico posterior, com o objetivo de reduzir o numero de etapas do processo de fabricacao. A relacao resistencia/transmitância foi avaliada atraves de uma figura de merito, de forma a propor os materiais candidatos a atuar como eletrodo frontal da celula solar. Os oxidos investigados foram divididos em dois grupos: os de baixa resistividade e os de alta resistividade. Eletrodos fabricados com os diversos oxidos foram submetidos a testes de estabilidade termica nas temperaturas de processamento da celula solar. Os resultados mostraram que os filmes de ZnO e Zn2SnO4 sao oxidos de alta resistividade (> 0,5 i—.cm), enquanto que os de SnO2, In2O3, In2O3:Sn, Cd2SnO4 e ZnO:Al sao de baixa resistividade ( 85%). Os filmes de In2O3:Sn e ZnO:Al apresentaram-se como as melhores opcoes para fabricacao dos eletrodos, pois possuem resistividades na faixa de 10-3--10-4 i—.cm e transmitâncias entre 85-92%. No entanto, levando-se em consideracao questoes de custo e escassez associadas ao indio, filmes de ZnO:Al sao os mais adequados para esta aplicacao, pois alem de possuirem valores de condutividade e transmitância elevados, apresentaram elevada estabilidade termica nas temperaturas de processamento da celula.