Dispositif à semi-conducteur de puissance

La presente invention a trait a un dispositif a semi-conducteur de puissance (1) dote de couches de differents types de conductivite entre une electrode d'emetteur (2) d'un cote emetteur (11) et une electrode de collecteur (25) d'un cote collecteur (15). Le dispositif comprend : - une couche de migration (6) d'un premier type de conductivite, - une premiere couche de base (4) d'un second type de conductivite, qui est agencee entre la couche de migration (6) et l'electrode d'emetteur (2), laquelle premiere couche de base (4) est en contact electrique direct avec l'electrode d'emetteur (2), - une premiere zone de source (5) du premier type de conductivite, qui est agencee du cote emetteur (11) integre dans la premiere couche de base (4) et qui entre en contact avec l'electrode d'emetteur (2), laquelle premiere zone de source (5) est dotee d'une concentration de dopage plus elevee que celle de la couche de migration (6), - une premiere electrode de grille (3), qui est electriquement isolee de la premiere couche de base (4), de la premiere zone de source (5) et de la couche de migration (6) et laquelle premiere electrode de grille (3) est agencee dans le meme plan que la premiere couche de base (4) et de facon laterale a cette derniere et s'etend plus en profondeur dans la couche de migration (6) que la premiere couche de base (4), - une seconde couche de base (45) du second type de conductivite, qui est agencee dans le meme plan que la premiere couche de base (4) et de facon laterale a cette derniere, - une seconde electrode de grille (35), qui est agencee sur la partie superieure du cote d'emetteur (11), et - une seconde zone de source (55) du premier type de conductivite, qui est agencee du cote emetteur (11) integre dans la seconde couche de base (45) et s'etend dans une zone situee sous la seconde electrode de grille (35), laquelle seconde zone de source (55) est dotee d'une concentration de dopage plus elevee que celle de la couche de migration (6), laquelle seconde electrode de grille (35) est electriquement isolee de la seconde couche de base (45), de la seconde zone de source (55) et de la couche de migration (6) au moyen d'une seconde couche isolante (36).