極紫外線（ｅｕｖ）フォトマスクのエッチング方法

【課題】ＥＵＶフォトマスクのエッチング方法の実施形態を提供する。 【解決手段】一実施形態において、極紫外線フォトマスクのエッチング方法は基板と、多材料層と、キャップ層と、多層型吸収層をこの順序で備えるフォトマスクを提供し、多層型吸収層はバルク吸収層上に配置された自己マスク層を備え、自己マスク層はタンタルと酸素を含み、バルク吸収層はタンタルを含み基本的に酸素を含まない工程と、第１エッチング処理を用いて自己マスク層をエッチングする工程と、第１エッチング処理とは異なる第２エッチング処理を用いてバルク吸収層をエッチングし、バルク吸収層のエッチング速度は第２エッチング処理中の自己マスク層のエッチング速度よりも速い工程を含む。 【選択図】図２