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Acemap > Paper > 次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

2015 
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