タングステンシリサイド膜を形成する方法、および金属−絶縁膜−半導体型トランジスタを製造する方法

(57)【要約】 【課題】 アニール前後における膜厚の差が小さいＷＳ ｉ膜を形成する方法、および金属−絶縁膜−半導体型ト ランジスタを製造する方法を提供する。 【解決手段】 ＷＳｉ膜を形成する方法は、(1)ＷＦ 6 お よびＳｉ 2 Ｈ 2 Ｃｌ 2 を含む原料ガスを用いる化学的気相 成長法によってＳｉおよびＷを主要構成元素としヘキサ ゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が 形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニー ルを行いＷＳｉ膜を形成する、各ステップを備える。ま た、(2)のステップに代えて、(3)ＷＦ 6 およびＳｉ 2 Ｈ 2 Ｃｌ 2 を含む原料ガスを用いて５５０℃を越えるステー ジ温度においてＣＶＤ法によりＳｉおよびＷを主要構成 元素とする堆積膜6を形成するステップを備えることも できる。ヘキサゴナル相の形成または高温成膜によっ て、ＷＳｉx膜におけるｘ値を適切な値にできるので、 アニール前後においてＷＳｉ膜の厚さの変化が小さい。