Dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium et son procédé de fabrication

La presente invention concerne un dispositif a semi-conducteurs en carbure de silicium (1) muni d'une couche semi-conductrice (12) qui comporte du carbure de silicium et qui presente, sur la surface (12a), une rainure (20) dotee de parois laterales (19) comprenant des surfaces cristallines qui sont inclinees de 50° a 65° par rapport au plan {0001}, et d'un film isolant (13) forme de maniere a toucher les parois laterales (19) de la rainure (20), la plus forte concentration en azote dans une zone situee a 10 nm maximum de l'interface entre le film isolant (13) et les parois laterales (19) de la rainure (20) etant d'au moins 1 × 10 21 cm -3 , et une direction de canal a ±10° d'une direction qui croise la direction se trouvant sur les parois laterales (19) de la rainure (20). La presente invention concerne egalement le procede de fabrication de ce dispositif a semi-conducteurs en carbure de silicium.