TiN／O′-sialon复相陶瓷的常温导电性能研究

对原位TiN／O′-sialon纳米复相陶瓷（NTS）和采用“二步法”制备的TiN／O′-sialon复相陶瓷（TS）的常温导电性能进行了对比研究，并对材料TS进行了放电加工。研究结果表明，初始原料中20％（质量分数）和25％（质量分数）左右的TiO2加入量是决定材料NTS和TS中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量，该导电临界值同基相O′-sialon与导电相TiN的颗粒尺寸比有关，此时相应材料的电阻率为1.6×10^-2和1.8×10^-2Ω·cm，满足放电加工的需要。烧结温度升高，两种材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加，材料TS加工表面粗糙度明显增加。